半导体断路开关(SOS)特性研究

• 作者: 屠荆 杨荣 白树春 罗晋生 韩志宇
• 来源期刊: 微电子学与计算机
• 关键词: 半导体 断路开关 制作 测试
• 年，卷（期）: 2004,（12）
• 页码范围: 214-216
• 页数: 3页
• 分类号: TN4
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-7180.2004.12.056

摘要

本文描述了半导体断路开关(SOS)的制作及性能测试.制作方法采用普通二极管类似的扩散工艺,但其制作工艺的关键在于深结的扩散.在pn结足够深时才能产生SOS效应.描述了制作过程并采用脉冲电路测试了所研制的SOS器件的电学性能.测试结果表明所研制的样品性能达到了与国外水平.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	罗晋生	西安交通大学微电子研究所	28	194	7.0	13.0
2	屠荆	西安交通大学微电子研究所	3	8	2.0	2.0
3	杨荣	西安交通大学微电子研究所	10	40	4.0	6.0
4	韩志宇		1	3	1.0	1.0
5	白树春		1	3	1.0	1.0