半导体断路开关数值模拟

• 作者: 何锋 刘纯亮 孙鉴 李永东 苏建仓
• 来源期刊: 强激光与粒子束
• 学科: 工学
• 关键词: 半导体断路开关 电流截断效应 脉冲功率 数值模拟
• 年，卷（期）: 2005,（12）
• 所属期刊栏目: 粒子束及加速器技术
• 页码范围: 1893-1896
• 页数: 4页
• 分类号: TN78
• 字数: 2305字
• 语种: 中文

摘要

为了研究半导体断路开关(SOS)的截断过程及其在脉冲功率系统中的工作特性,建立了半导体断路开关的电流控制模型,对p+-p-n-n+掺杂结构的半导体断路开关进行了数值模拟研究.通过数值模拟,给出了p+-p-n-n+型半导体断路开关在正、反向泵浦过程中的载流子及电场分布,并获得了电流截断效应.计算结果表明,半导体断路开关的截断过程首先发生在p区.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘纯亮	西安交通大学电子物理与器件教育部重点实验室	124	527	9.0	16.0
2	苏建仓	西安交通大学电子物理与器件教育部重点实验室	29	339	8.0	17.0
4	何锋	西安交通大学电子物理与器件教育部重点实验室	16	80	6.0	8.0
5	孙鉴	西安交通大学电子物理与器件教育部重点实验室	39	135	6.0	9.0
6	李永东	西安交通大学电子物理与器件教育部重点实验室	42	184	8.0	11.0