巨正则法对硅半导体中载流子数的计算机模拟

• 作者: 孙彦平 梁镇海 温月丽
• 来源期刊: 太原理工大学学报
• 关键词: 巨正则系综 F-D统计法 硅半导体 载流子数 计算机模拟
• 年，卷（期）: 2006,（5）
• 所属期刊栏目: 化学工程
• 页码范围: 547-549
• 页数: 3页
• 分类号: O646.23
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1007-9432.2006.05.015

摘要

将巨正则系综的Fermi-Dirac(F-D)统计法与计算机模拟相结合,从本征半导体硅出发,探讨温度和光照能量对载流子数的影响,试图从理论上定量分析太阳能电池工作状况,对本征硅半导体中载流子数进行计算机模拟,模拟结果与理论规律基本吻合,此方法可为进一步研究掺杂半导体及氧化物半导体空间电荷层载流子数提供参考.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	孙彦平	太原理工大学洁净化工研究所	136	1387	19.0	29.0
2	梁镇海	太原理工大学洁净化工研究所	85	695	14.0	23.0
3	温月丽	太原理工大学洁净化工研究所	7	4	1.0	2.0