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摘要:
介绍了一种新型的半导体断路开关,它采用P+-P-N-N+的半导体结构,可完成亚ns级的关断,关断电流达数kA、承受反向电压达百kV、重复频率达数kHz.在介绍SOS结构和主要特性的基础上,还介绍了基于SOS的脉冲功率发生器的研究和发展现状.
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文献信息
篇名 半导体断路开关及其应用
来源期刊 高电压技术 学科 工学
关键词 断路开关 半导体 脉冲功率
年,卷(期) 2002,(z1) 所属期刊栏目 脉冲功率技术
研究方向 页码范围 23-25
页数 3页 分类号 TM56
字数 3442字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1003-6520.2002.z1.010
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 严萍 中国科学院电工研究所 191 2402 27.0 36.0
2 王珏 中国科学院电工研究所 140 3295 27.0 54.0
3 张适昌 中国科学院电工研究所 33 665 15.0 25.0
传播情况
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研究主题发展历程
节点文献
断路开关
半导体
脉冲功率
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
高电压技术
月刊
1003-6520
42-1239/TM
大16开
湖北省武汉市珞瑜路143号武汉高压研究所
38-24
1975
chi
出版文献量(篇)
9889
总下载数(次)
24
总被引数(次)
181291
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