双栅双应变沟道全耗尽SOI CMOS的瞬态特性分析

• 作者: 刘静 孙立伟 杨媛 高勇
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 双栅 双应变沟道 CMOS
• 年，卷（期）: 2008,（8）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1566-1569
• 页数: 4页
• 分类号: TN302
• 字数: 3454字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2008.08.030

摘要

在提出双栅双应变沟道全耗尽SOl MOSFET新结构的基础上,模拟了沟道长度为25nm时基于新结构的CMOS瞬态特性.结果表明,单栅工作模式下,传统应变SiGe(或应变Si)器件的CMOS电路只能实现上升(或下降)时间的改善,而基于新结构的CMOS电路能同时实现上升和下降时间的缩短;双栅模式下,CMOS电路的上升和下降时间较单栅模式有了更进一步的改善,电路性能得以显著提高.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	高勇	西安理工大学自动化学院电子工程系	189	1184	15.0	26.0
2	刘静	西安理工大学自动化学院电子工程系	58	261	8.0	14.0
3	杨媛	西安理工大学自动化学院电子工程系	92	559	12.0	19.0
4	孙立伟	西安理工大学自动化学院电子工程系	2	6	2.0	2.0