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摘要:
在提出双栅双应变沟道全耗尽SOl MOSFET新结构的基础上,模拟了沟道长度为25nm时基于新结构的CMOS瞬态特性.结果表明,单栅工作模式下,传统应变SiGe(或应变Si)器件的CMOS电路只能实现上升(或下降)时间的改善,而基于新结构的CMOS电路能同时实现上升和下降时间的缩短;双栅模式下,CMOS电路的上升和下降时间较单栅模式有了更进一步的改善,电路性能得以显著提高.
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文献信息
篇名 双栅双应变沟道全耗尽SOI CMOS的瞬态特性分析
来源期刊 半导体学报 学科 工学
关键词 双栅 双应变沟道 CMOS
年,卷(期) 2008,(8) 所属期刊栏目 研究论文
研究方向 页码范围 1566-1569
页数 4页 分类号 TN302
字数 3454字 语种 中文
DOI 10.3321/j.issn:0253-4177.2008.08.030
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 高勇 西安理工大学自动化学院电子工程系 189 1184 15.0 26.0
2 刘静 西安理工大学自动化学院电子工程系 58 261 8.0 14.0
3 杨媛 西安理工大学自动化学院电子工程系 92 559 12.0 19.0
4 孙立伟 西安理工大学自动化学院电子工程系 2 6 2.0 2.0
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研究主题发展历程
节点文献
双栅
双应变沟道
CMOS
研究起点
研究来源
研究分支
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期刊影响力
半导体学报(英文版)
月刊
1674-4926
11-5781/TN
大16开
北京912信箱
2-184
1980
eng
出版文献量(篇)
6983
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8
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