双栅双应变沟道全耗尽SOI MOSFETs的特性分析

• 作者: 刘静 孙立伟 杨媛 高勇
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 双栅 双应变沟道 短沟道效应
• 年，卷（期）: 2008,（2）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 338-343
• 页数: 6页
• 分类号: TN302
• 字数: 4174字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2008.02.028

摘要

提出了一种全新的器件结构--双栅双应变沟道全耗尽SOI MOSFETs,模拟了沟道长度为25nm时器件的电学特性.工作在单栅模式下,应变沟道(Ge=0.3)驱动能力与体Si沟道相比,nMOS提高了43%,pMOS提高了67%;工作在双栅模式下,应变沟道(Ge=0.3)与体Si沟道相比较,驱动电流的提高nMOS为31%,pMOS为60%.仿真结果表明,双栅模式比单栅模式有更为陡直的亚阈值斜率,更高的跨导以及更强的抑制短沟道效应的能力.综合国内外相关报道,该结构可以在现今工艺条件下实现.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	高勇	西安理工大学自动化学院电子工程系	189	1184	15.0	26.0
2	刘静	西安理工大学自动化学院电子工程系	58	261	8.0	14.0
3	杨媛	西安理工大学自动化学院电子工程系	92	559	12.0	19.0
4	孙立伟	西安理工大学自动化学院电子工程系	2	6	2.0	2.0