氧化对SOI基SiGe薄膜残余应变弛豫的影响

• 作者: 张峰 王曦 程新利 金波 陈志君 陈静
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 氧化 SiGe SOI 应变弛豫
• 年，卷（期）: 2006,（1）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 86-90
• 页数: 5页
• 分类号: TN304
• 字数: 3277字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2006.01.018

摘要

研究了氧化对外延在SOI衬底上的SiGe薄膜的残余应变弛豫过程的影响.通过对SiGe薄膜采用不同工艺的氧化,从而了解不同氧化条件对SOI基SiGe薄膜的应变弛豫过程的影响.氧化将会促使SiGe薄膜中的Ge原子扩散到SOI材料的顶层硅中.而SiGe薄膜的残余应变弛豫过程将会与Ge原子的扩散过程同时进行,通过对SiGe薄膜和SOI顶层硅中位错分布的分析发现:在氧化过程中,SiGe薄膜和SOI衬底之间存在一个应力传递的过程.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈静	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	195	2091	24.0	37.0
2	张峰	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	149	3496	30.0	56.0
3	金波	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	3	8	1.0	2.0
4	王曦	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	60	322	10.0	15.0
5	程新利	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	7	7	1.0	2.0
6	陈志君	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	2	2	1.0	1.0