弛豫SiGe衬底上SiGe/Si Ⅱ型量子阱

• 作者: 于卓 余金中 成步文 李代宗 王启明 黄昌俊
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: SiGe/Si 应变弛豫 Ⅱ型量子阱
• 年，卷（期）: 2001,（7）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 875-880
• 页数: 6页
• 分类号: TN304.2
• 字数: 4593字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2001.07.012

摘要

采用UHV/CVD系统,在Si衬底上生长了具有渐变Si1-xGex缓冲层结构的弛豫Si0.76Ge0.24虚衬底和5个周期的Si0.76Ge0.24/Si多量子阱.在渐变Si1-xGex缓冲层生长过程中引入原位退火,消除了残余应力,抑制了后续生长的SiGe中的位错成核.透射电子显微照片显示,位错被有效地限制在组份渐变缓冲层内,而SiGe上层和SiGe/Si量子阱是无位错的.在样品的PL谱中,观察到跃迁能量为0.961eV的Ⅱ型量子阱的无声子参与(NP)发光峰.由于Ⅱ型量子阱中电子和空穴不在空间同一位置,较高光功率激发下引起的高浓度载流子导致能带弯曲严重.NP峰随激发功率增加向高能方向移动,在一定激发条件下,电子跃迁或隧穿至弛豫SiGe层弯曲的导带底后与处于同一位置的空穴复合发光,所以NP峰积分强度随光激发功率先增加后减小.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王启明	中国科学院半导体研究所	118	735	14.0	20.0
2	余金中	中国科学院半导体研究所	110	703	13.0	21.0
3	李代宗	中国科学院半导体研究所	4	2	1.0	1.0
4	成步文	中国科学院半导体研究所	41	185	8.0	10.0
5	黄昌俊	中国科学院半导体研究所	6	33	3.0	5.0
6	于卓	中国科学院半导体研究所	5	9	2.0	3.0