基于低温硅技术的赝晶SiGe应变弛豫机理

• 作者: 于奇 宁宁 李竞春 杨洪东 杨谟华 王向展
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 低温硅 赝晶锗硅 弛豫机理 位错理论
• 年，卷（期）: 2010,（8）
• 页码范围: 5743-5748
• 分类号: O4
• 语种: 中文

摘要

基于能量平衡条件,结合低温硅(LT-Si)剪切模量小于SiGe的实验结果,从螺位错形成模型出发,给出了基于LT-Si技术的赝晶SiGe应变弛豫机理.该机理指出,赝晶SiGe薄膜厚度小于位错形成临界厚度,可通过LT-Si缓冲层中形成位错释放应变;等于与大于临界厚度,位错在LT-Si层中优先形成,和文献报道中已观察到的实验结果相符合.同时,实验制备了基于LT-Si技术的弛豫Si0.8Ge0.2虚拟衬底材料.结果显示,位错被限制在LT-Si缓冲层中,弛豫度达到了85.09%,且在Si0.8Ge0.2中未观察到穿透位错,实验结果证实了赝晶Si0.8Ge0.2是通过在LT-Si缓冲层形成位错来释放应变的弛豫机理.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	于奇	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	50	252	8.0	13.0
2	杨谟华	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	58	278	8.0	11.0
3	李竞春	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	26	81	5.0	6.0
4	王向展	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	32	142	7.0	9.0
5	杨洪东	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	8	20	3.0	4.0
6	宁宁	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	27	156	8.0	10.0