Si间隔层对利用低温Si缓冲层生长高弛豫SiGe层的影响

• 作者: 杨鸿斌 樊永良
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: SiGe 应变弛豫 位错
• 年，卷（期）: 2006,（z1）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 144-147
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.1
• 字数: 2620字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2006.z1.035

摘要

利用低温生长Si缓冲层与Si间隔层相结合的方法生长高弛豫SiGe层,研究了Si间隔层在其中的作用.利用化学腐蚀和光学显微镜,观察了不同外延层厚度处位错的腐蚀图样.研究了不同温度下生长的Si间隔层对SiGe外延层中位错形成、传播及其对应变弛豫的影响.结果表明Si间隔层的引入,显著改变了外延层中位错的形成和传播,进而使得样品表面形貌也呈现出较大的差异.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	樊永良	复旦大学应用表面物理国家重点实验室	8	15	3.0	3.0
2	杨鸿斌	复旦大学应用表面物理国家重点实验室	2	5	1.0	2.0