直流溅射缓冲层生长ZnO/Si薄膜

• 作者: 傅竹西 姚然 朱俊杰 朱拉拉 段理
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 氧化锌 直流溅射 MOCVD 缓冲层
• 年，卷（期）: 2006,（1）
• 页码范围: 135-138
• 页数: 4页
• 分类号: O484
• 字数: 2158字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-985X.2006.01.031

摘要

ZnO是一种新兴的的宽禁带半导体材料,相对于传统的宽禁带材料有很多的优势.在相对成本低廉的Si衬底上生长ZnO薄膜是现在攻关的热门课题.目前用缓冲层方法生长ZnO薄膜取得了一些突破.本文利用直流溅射,先在Si衬底上溅射一层ZnO多晶薄膜,通过对直流溅射时间的控制,可以得到不同厚度的ZnO缓冲层.再利用MOCVD设备生长高质量的ZnO薄膜.通过研究发现,直流溅射ZnO薄膜的厚度对于最终的薄膜质量有很大的影响.随着缓冲层的引入,双晶衍射XRD的摇摆半宽有显著下降,并且随着最终ZnO薄膜质量上升,光致发光也有显著的提升.可见缓冲层的引入对ZnO/Si薄膜的质量和发光强度有很大的贡献.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	傅竹西	中国科学技术大学物理系	53	808	17.0	27.0
2	段理	中国科学技术大学物理系	7	68	5.0	7.0
3	朱俊杰	中国科学技术大学物理系	39	448	14.0	19.0
4	姚然	中国科学技术大学物理系	10	44	4.0	6.0
5	朱拉拉	中国科学技术大学物理系	2	12	2.0	2.0