磁控溅射生长Cu/Si薄膜

• 作者: 刘宇 张伟 张福学 毛旭
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: 半导体技术 Cu薄膜 TiSi2薄膜 溅射
• 年，卷（期）: 2005,（10）
• 所属期刊栏目: 研究与试制
• 页码范围: 1-3
• 页数: 3页
• 分类号: TM241
• 字数: 2087字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2028.2005.10.001

摘要

用溅射方法在Si(111)上生长Cu/Si,Ti/Si,Cu/Ti/Si薄膜.用XRD,红外吸收光谱,台阶仪对薄膜进行分析和测量.结果表明:在150℃溅射生长出的Cu/Ti/Si薄膜的缓冲层为硅化物TiSi2(311);Cu薄膜的主要成分是晶粒大小为17 nm的Cu(111);Cu/Ti/Si(111)平均厚度为462 nm,粗糙度为薄膜厚度的3%.在以TiSi2薄膜为缓冲层的Si(111)衬底上生长出的Cu薄膜抗氧化性较强、薄膜均匀性和致密性较好.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘宇	北京信息工程学院传感技术研究中心	42	260	9.0	13.0
2	张福学	北京信息工程学院传感技术研究中心	123	623	13.0	17.0
3	张伟	北京信息工程学院传感技术研究中心	84	416	10.0	18.0
4	毛旭	北京信息工程学院传感技术研究中心	10	75	6.0	8.0