以Au为缓冲层在Si衬底上生长ZnO薄膜

• 作者: ZENG Yi-ping 崔军朋 曾一平 段垚 王晓峰
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 物理学
• 关键词: ZnO薄膜 Au缓冲层 化学气相沉积
• 年，卷（期）: 2008,（5）
• 页码范围: 861-864
• 页数: 4页
• 分类号: O482.31
• 字数: 1521字
• 语种: 中文

摘要

采用化学气相沉积(CVD)方法在Si(001)衬底上分别制备了有金属Au缓冲层以及无Au缓冲层的ZnO薄膜.其中Au缓冲层在物理气相沉积(PVD)设备中蒸发,厚度大约为300 nm.有Au缓冲层的ZnO薄膜晶体质量比直接在Si衬底上生长有了显著提高.利用X射线衍射(XRD)研究了所生长ZnO薄膜的结晶质量,有Au缓冲层的ZnO薄膜虽然仍为多晶,但显示出明显的择优取向.用光学显微镜研究了ZnO薄膜的表面特征,金属Au缓冲层显著地提高了在Si衬底上生长的ZnO薄膜的晶粒尺寸及平整度.同时利用室温光致发光(PL)谱研究了ZnO薄膜的光学性质,并分析了有Au缓冲层的ZnO薄膜NEB发光峰强度反而弱的可能原因.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王晓峰	中国科学院半导体研究所材料中心	57	953	14.0	30.0
2	曾一平	中国科学院半导体研究所材料中心	85	439	11.0	16.0
3	崔军朋	中国科学院半导体研究所材料中心	2	5	1.0	2.0
4	段垚	中国科学院半导体研究所材料中心	5	13	3.0	3.0
5	ZENG Yi-ping	中国科学院半导体研究所材料中心	1	4	1.0	1.0