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摘要:
在不同衬底温度下用脉冲激光沉积法(PLD)分别在n-Si(111)、蓝宝石(001)和非晶石英衬底上生长了ZnO薄膜.首先对薄膜进行了X射线衍射(XRD)分析,找出在三种不同衬底上制得的结晶质量最好的ZnO薄膜所对应的最佳衬底温度.然后对最佳衬底温度下得到的ZnO薄膜分别进行了X射线衍射(XRD)、光致发光谱(PL)和原子力显微镜(AFM)分析.结果表明,在硅衬底上生长的ZnO薄膜XRD谱半高宽最小,PL谱特征发光峰强度最强,AFM下的平均粒径最大,说明硅衬底上生长的ZnO薄膜结晶质量最好,而在石英衬底上生长的ZnO薄膜结晶质量最差.
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文献信息
篇名 在不同衬底上生长ZnO薄膜及其特性研究
来源期刊 电子元件与材料 学科 工学
关键词 ZnO薄膜 衬底 脉冲激光沉积 XRD PL AFM
年,卷(期) 2014,(1) 所属期刊栏目 研究与试制
研究方向 页码范围 12-14
页数 3页 分类号 TN304
字数 2720字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1001-2028.2014.01.004
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 李田泽 山东理工大学电气与电子工程学院 79 290 10.0 12.0
2 杨淑连 山东理工大学电气与电子工程学院 47 198 8.0 10.0
3 何建廷 山东理工大学电气与电子工程学院 13 57 5.0 7.0
4 魏芹芹 山东理工大学电气与电子工程学院 16 61 5.0 7.0
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节点文献
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电子元件与材料
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1001-2028
51-1241/TN
大16开
成都市一环路东二段8号宏明商厦702室
62-36
1982
chi
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