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在不同衬底上生长ZnO薄膜及其特性研究
在不同衬底上生长ZnO薄膜及其特性研究
作者:
何建廷
李田泽
杨淑连
魏芹芹
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
ZnO薄膜
衬底
脉冲激光沉积
XRD
PL
AFM
摘要:
在不同衬底温度下用脉冲激光沉积法(PLD)分别在n-Si(111)、蓝宝石(001)和非晶石英衬底上生长了ZnO薄膜.首先对薄膜进行了X射线衍射(XRD)分析,找出在三种不同衬底上制得的结晶质量最好的ZnO薄膜所对应的最佳衬底温度.然后对最佳衬底温度下得到的ZnO薄膜分别进行了X射线衍射(XRD)、光致发光谱(PL)和原子力显微镜(AFM)分析.结果表明,在硅衬底上生长的ZnO薄膜XRD谱半高宽最小,PL谱特征发光峰强度最强,AFM下的平均粒径最大,说明硅衬底上生长的ZnO薄膜结晶质量最好,而在石英衬底上生长的ZnO薄膜结晶质量最差.
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ZnO薄膜
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内容分析
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文献信息
篇名
在不同衬底上生长ZnO薄膜及其特性研究
来源期刊
电子元件与材料
学科
工学
关键词
ZnO薄膜
衬底
脉冲激光沉积
XRD
PL
AFM
年,卷(期)
2014,(1)
所属期刊栏目
研究与试制
研究方向
页码范围
12-14
页数
3页
分类号
TN304
字数
2720字
语种
中文
DOI
10.3969/j.issn.1001-2028.2014.01.004
五维指标
作者信息
序号
姓名
单位
发文数
被引次数
H指数
G指数
1
李田泽
山东理工大学电气与电子工程学院
79
290
10.0
12.0
2
杨淑连
山东理工大学电气与电子工程学院
47
198
8.0
10.0
3
何建廷
山东理工大学电气与电子工程学院
13
57
5.0
7.0
4
魏芹芹
山东理工大学电气与电子工程学院
16
61
5.0
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传播情况
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参考文献(0)
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二级引证文献(0)
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引证文献(2)
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引证文献(1)
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2018(1)
引证文献(1)
二级引证文献(0)
2019(2)
引证文献(0)
二级引证文献(2)
研究主题发展历程
节点文献
ZnO薄膜
衬底
脉冲激光沉积
XRD
PL
AFM
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
电子元件与材料
主办单位:
中国电子学会
中国电子元件行业协会
国营第715厂(成都宏明电子股份有限公司)
出版周期:
月刊
ISSN:
1001-2028
CN:
51-1241/TN
开本:
大16开
出版地:
成都市一环路东二段8号宏明商厦702室
邮发代号:
62-36
创刊时间:
1982
语种:
chi
出版文献量(篇)
5158
总下载数(次)
16
总被引数(次)
31758
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电子元件与材料2014年第6期
电子元件与材料2014年第5期
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