Si基ZnO缓冲层溅射Ga2O3氨化反应生长GaN薄膜

• 作者: 庄惠照 王书运 高海永
• 来源期刊: 理化检验-物理分册
• 学科: 工学
• 关键词: Ga2O3薄膜 ZnO缓冲层 氨化 射频磁控溅射 扫描电镜 透射电镜
• 年，卷（期）: 2005,（9）
• 所属期刊栏目: 实验技术与方法
• 页码范围: 456-459
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.2+3
• 字数: 2177字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-4012.2005.09.007

摘要

利用射频磁控溅射法在Si(111)衬底上先溅射ZnO缓冲层,再溅射Ga2O3薄膜,然后在开管炉中分别以850℃,900℃,950℃和1 000℃等温度及常压下通氨气进行氨化,反应生长GaN薄膜.利用该方法制备的GaN薄膜是沿c轴方向择优生长的六角纤锌矿多晶结构,并且随着氨化温度的升高,GaN向棒状和线状形态生长.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王书运	山东师范大学物理与电子科学学院	57	450	11.0	19.0
2	庄惠照	山东师范大学物理与电子科学学院	72	276	9.0	11.0
3	高海永	山东师范大学物理与电子科学学院	13	37	4.0	5.0