氨化Si基Ga2O3/Co薄膜合成GaN纳米线及其表征

• 作者: 庄惠照 李红 杨兆柱 秦丽霞 薛成山 陈金华
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 纳米棒 晶体生长 扫描和透射电子显微镜
• 年，卷（期）: 2008,（2）
• 所属期刊栏目: 研究快报
• 页码范围: 210-213
• 页数: 4页
• 分类号: TN304
• 字数: 635字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2008.02.004

摘要

采用磁控溅射技术先在Si衬底上制备Ga2O3/Co薄膜,然后在950"C下流动的氨气中进行氨化反应制备GaN纳米棒.应用X射线衍射、扫描电镜、傅里叶红外吸收光谱、选区电子衍射和高分辨透射电子显微镜对样品进行表征.结果表明,采用此方法得到了六方纤锌矿结构的GaN单晶纳米棒.观察发现纳米棒表面光滑.并讨论了GaN纳米棒的生长机制.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	庄惠照	山东师范大学物理与电子科学学院半导体研究所	72	276	9.0	11.0
2	薛成山	山东师范大学物理与电子科学学院半导体研究所	117	476	11.0	13.0
3	陈金华	山东师范大学物理与电子科学学院半导体研究所	11	19	2.0	3.0
4	秦丽霞	山东师范大学物理与电子科学学院半导体研究所	10	19	2.0	3.0
5	李红	山东师范大学物理与电子科学学院半导体研究所	29	57	4.0	5.0
6	杨兆柱	山东师范大学物理与电子科学学院半导体研究所	12	23	2.0	3.0