Ga2O3和GaN混合镓源制备GaN纳米线

• 作者: 吴东旭 李佳 程宏斌 罗晓菊 郑学军
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: 镓源 化学气相沉积法 氮化镓 纳米线 催化剂 发光性能
• 年，卷（期）: 2014,（10）
• 所属期刊栏目: 研究与试制
• 页码范围: 76-80
• 页数: 5页
• 分类号: TN304|TQ133.5+1
• 字数: 4250字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2028.2014.10.018

摘要

采用Ga2O3/GaN、Ga2O3和GaN三种镓源,通过化学气相沉积(CVD)法,在镀有Ni催化剂的Si(100)基片上制备了GaN纳米线,使用SEM、XRD、EDS、HRTEM和PL对样品的形貌、结构、成分和发光性能进行了表征,研究了镓源与基片距离(生长温度)及催化剂种类对纳米线生长的影响.结果表明,相对于Ga2O3和GaN单一镓源,采用Ga2O3/GaN混合镓源制备出的纳米线表面更加光滑,结晶度更高.此外,GaN纳米线的最佳制备工艺参数为:氨气流量0.03 L/min,催化剂Ni,镓源与基片距离11 cm(生长温度950℃).

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郑学军	上海理工大学材料科学与工程学院	11	24	1.0	4.0
2	李佳	上海理工大学材料科学与工程学院	35	121	6.0	10.0
3	吴东旭	上海理工大学材料科学与工程学院	3	3	1.0	1.0
4	罗晓菊	上海理工大学材料科学与工程学院	3	5	1.0	2.0
5	程宏斌	上海理工大学材料科学与工程学院	2	2	1.0	1.0