GaN/TiO2-x异质结的制备以及氮化温度对其光电化学性能的影响

• 作者: 胡兰青 薛晋波 钱凯
• 来源期刊: 太原理工大学学报
• 关键词: Ga2O3/TiO2 溶胶凝胶法 氮化温度 GaN/TiO2-x 光电化学性能
• 年，卷（期）: 2019,（5）
• 所属期刊栏目: 材料科学与工程
• 页码范围: 549-555
• 页数: 7页
• 分类号: O472|O475
• 语种: 中文
• DOI: 10.16355/j.cnki.issn1007-9432tyut.2019.05.001

摘要

采用溶胶凝胶法,以硝酸镓为镓源、二氧化钛纳米粉末为钛源,制备出Ga2 O3/TiO2粉末材料.将样品置于不同温度下氮化,得到GaN/TiO2-x粉末.利用场发射扫描电子显微镜(FESEM)、X射线衍射仪(XRD)、紫外-可见分光光度计(UV-Vis)、荧光分光光度计(PL)、表面光电压谱仪(SPV)、电化学工作站等对样品进行表征和性能测试,研究了氮化温度对样品的物相组成、微观形貌以及光电性能的影响.结果表明,氮化温度越高,Ga2 O3被氮化的程度越高,GaN的结晶度越好.700℃ 下氮化时,TiO2保持原有状态,不发生相变和还原反应;当氮化温度达到750℃时,样品中的TiO2开始逐渐被还原为TiO2-x,且随着温度的升高,二氧化钛被还原的程度增大,TiO2-x量增多;从800℃开始,样品中几乎不含TiO2.紫外-可见光吸收数据显示,700℃氮化的样品吸收范围最大,900℃氮化的样品带隙最窄,而吸光度则大致随着氮化温度的升高而增大.电化学测试结果表明,850℃ 氮化的样品导电性最好,载流子浓度最高,且分离效率高,在-0.8 V(vs.Ag/AgCl)偏压条件下,850℃和800℃氮化的样品瞬态光电流密度最高.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	胡兰青	太原理工大学材料科学与工程学院	48	448	13.0	20.0
2	薛晋波	太原理工大学新材料界面科学与工程教育部重点实验室	16	107	6.0	9.0
3	钱凯	太原理工大学材料科学与工程学院	1	1	1.0	1.0