退火温度和ZnO缓冲层对氨化Ga2O3/ZnO薄膜合成GaN纳米结构的影响

• 作者: 庄惠照 王书运 高海永
• 来源期刊: 材料科学与工程学报
• 学科: 工学
• 关键词: 射频磁控溅射 GaN薄膜 ZnO缓冲层 氨化反应
• 年，卷（期）: 2006,（4）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 568-570,591
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.2+3
• 字数: 3168字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1673-2812.2006.04.025

摘要

利用射频磁控溅射法在Si(111)衬底上先溅射ZnO缓冲层,再溅射Ga2O3薄膜,然后在开管炉中不同温度下通氨气进行氨化反应生长GaN薄膜.分析结果表明,利用该方法制备的GaN薄膜是六角纤锌矿多晶结构,并且随着氨化温度的升高,GaN薄膜向棒状和线状形态转变.同时分析了ZnO缓冲层对形成GaN纳米结构的影响.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王书运	山东师范大学物理与电子科学学院	57	450	11.0	19.0
2	庄惠照	山东师范大学物理与电子科学学院	72	276	9.0	11.0
3	高海永	山东师范大学物理与电子科学学院	13	37	4.0	5.0