单晶β-Ga2O3纳米线的原位生长及其光致发光性能

• 作者: 刘瑞妮 张喜生 张建英 杨合情 焦华 赵桦 郑海荣 陈晓波
• 来源期刊: 陕西师范大学学报（自然科学版）
• 学科: 化学
• 关键词: β-Ga2O3 纳米线 原位生长 光致发光
• 年，卷（期）: 2008,（6）
• 所属期刊栏目: 化学与材料科学
• 页码范围: 52-57
• 页数: 6页
• 分类号: O611.62|TB383
• 字数: 4201字
• 语种: 中文

摘要

通过在N2气氛中将金属镓加热到900℃,在镓颗粒表面大面积生长出β-Ga2O3纳米线.采用激光拉曼光谱仪、扫描电子显微镜和透射电子显微镜对产物的结构和形貌进行了表征.结果表明,所得产物为单斜相单晶结构Ga2O3纳米线,其直径为50～100 nm,长度为30～100μm.提出了Ga2O3纳米线可能的生长机理.室温下研究了所得Ga2O3纳米线的光致发光特性,观察到起源于氧空位的电子与镓-氧空位对上的空穴复合产生的发光峰在457 nm的蓝光发光.