高Ge成份SiGe合金弛豫及热应变的Raman光谱研究

• 作者: 叶志镇 吴贵斌 崔继锋 赵炳辉
• 来源期刊: 材料科学与工程学报
• 学科: 工学
• 关键词: 锗硅 拉曼 高分辨XRD 应变驰豫 热应变
• 年，卷（期）: 2005,（1）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 81-83
• 页数: 3页
• 分类号: TN304
• 字数: 3245字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1673-2812.2005.01.023

摘要

采用Raman光谱对高Ge含量的锗硅合金中的应变驰豫进行研究,运用Mooney的两种方法对合金中Ge成分及应力进行了分析,并用HRXRD对其分析结果进行了验证.最后分析了热应变对Si1-xGex外延的影响.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	叶志镇	浙江大学硅材料国家重点实验室	155	1638	21.0	35.0
2	赵炳辉	浙江大学硅材料国家重点实验室	74	719	14.0	24.0
3	吴贵斌	浙江大学硅材料国家重点实验室	11	70	4.0	8.0
4	崔继锋	浙江大学硅材料国家重点实验室	3	13	3.0	3.0