槽栅PMOSFET沟道杂质浓度对其特性影响

• 作者: 任红霞 郝跃
• 来源期刊: 西安电子科技大学学报(自然科学版)
• 学科: 工学
• 关键词: 槽栅PMOSFET 沟道杂质浓度 阈值电压 漏极电流驱动能力 热载流子效应
• 年，卷（期）: 2001,（1）
• 页码范围: 8-12,56
• 页数: 6页
• 分类号: TN30
• 字数: 5079字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2400.2001.01.003

摘要

利用二维器件仿真软件MEDICI，基于动力学能量输运模型对沟道掺杂浓度不同的深亚微米槽栅PMOSFET的特性进行了研究，并与相应平面器件的特性进行了对比．研究发现，随着沟道掺杂浓度的提高，与平面器件相同，槽栅器件的阈值电压提高，漏极驱动能力降低，抗热载流子效应增强；但与平面器件相比，槽栅器件的阈值电压受沟道杂质浓度影响较小，漏极驱动能力随沟道杂质浓度提高的退化则较平面器件严重，抗热载流子能力的增强较平面器件大得多．因此在基本不影响其他特性的条件下，可以通过降低沟道杂质浓度来提高槽栅器件的漏极驱动能力．

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郝跃	西安电子科技大学微电子研究所	312	1866	17.0	25.0
2	任红霞	西安电子科技大学微电子研究所	21	53	4.0	5.0