施主型界面态引起槽栅PMOSFET性能退化的特征

• 作者: 任红霞 郝跃
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 槽栅PMOSFET 施主界面态密度 栅极特性 漏极电流驱动能力 特性退化
• 年，卷（期）: 2001,（5）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 629-6535
• 页数: 7页
• 分类号: TN386
• 字数: 6269字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2001.05.019

摘要

基于流体动力学能量输运模型，对沟道杂质浓度不同的深亚微米槽栅和平面PMOSFET中施主型界面态引起的器件特性的退化进行了研究.研究结果表明同样浓度的界面态密度在槽栅器件中引起的器件特性的漂移远大于平面器件，且电子施主界面态密度对器件特性的影响远大于空穴界面态.特别是沟道杂质浓度不同，界面态引起的器件特性的退化不同.沟道掺杂浓度提高，同样的界面态密度造成的漏极特性漂移增大.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郝跃	西安电子科技大学微电子研究所	312	1866	17.0	25.0
2	任红霞	西安电子科技大学微电子研究所	21	53	4.0	5.0