深亚微米槽栅PMOSFET特性研究

• 作者: 任红霞 张晓菊 郝跃
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 工学
• 关键词: 槽栅PMOSFET 栅极特性 漏极特性 热载流子效应
• 年，卷（期）: 2003,（3）
• 页码范围: 233-239
• 页数: 7页
• 分类号: TN386.1
• 字数: 4878字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2003.03.001

摘要

基于流体动力学能量输运理论,对槽栅PMOSFET器件的端口特性进行了仿真研究,包括栅极特性、漏极驱动能力和抗热载流子性能等.仿真结果表明,与平面器件相比,槽栅结构很好地抑制了短沟道效应和漏感应势垒降低效应,并具有较好的抗热载流子性能,但其漏极驱动能力低于平面器件,并从内部物理机制上解释了上述区别.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郝跃	西安电子科技大学微电子研究所	312	1866	17.0	25.0
2	张晓菊	西安电子科技大学微电子研究所	11	35	4.0	5.0
3	任红霞	西安电子科技大学微电子研究所	21	53	4.0	5.0