超深亚微米P+栅PMOSFET中NBTI效应及其机理研究

• 作者: 刘红侠 郝跃 韩晓亮
• 来源期刊: 电子学报
• 学科: 工学
• 关键词: NBTI效应 PMOSFET 界面态 正氧化层固定电荷
• 年，卷（期）: 2003,（z1）
• 所属期刊栏目: 信息处理技术
• 页码范围: 2063-2065
• 页数: 3页
• 分类号: TN306|TN386.1
• 字数: 2677字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0372-2112.2003.z1.027

摘要

本文深入研究了P+栅PMOSFET中的NBTI效应,首先通过实验分析了NBTI应力后器件特性及典型参数的退化,基于这些实验结果提出了一种可能的NBTI效应发生机制:即由水分子参与的Si-SiO2界面处的电化学反应.最后从工艺的角度给出了减小和抑制NBTI效应的方法.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郝跃	西安电子科技大学微电子研究所	312	1866	17.0	25.0
2	刘红侠	西安电子科技大学微电子研究所	91	434	10.0	15.0
3	韩晓亮	西安电子科技大学微电子研究所	9	64	5.0	8.0