深亚微米槽栅PMOSFET短沟道效应的模拟研究

• 作者: 任红霞 郝跃 马晓华
• 来源期刊: 西安电子科技大学学报(自然科学版)
• 学科: 工学
• 关键词: 深亚微米 槽栅PMOSFET 沟道杂质浓度 衬底杂质浓度 短沟道效应 拐角效应
• 年，卷（期）: 2002,（2）
• 页码范围: 149-152
• 页数: 4页
• 分类号: TN303.12
• 字数: 3659字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2400.2002.02.001

摘要

基于流体动力学能量输运模型,首先研究了槽栅器件对短沟道效应的抑制作用,接着研究了不同衬底和沟道杂质浓度的深亚微米槽栅PMOSFET对短沟道效应抑制的影响,同时与相应平面器件的特性进行了对比.研究结果表明,槽栅器件在深亚微米和超深亚微米区域能够很好地抑制短沟道效应,且随着衬底和沟道掺杂浓度的升高,阈值电压升高,对短沟道效应的抑制作用增强,但槽栅器件阈值电压变化较平面器件小.最后从内部物理机制上对研究结果进行了分析和解释.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郝跃	西安电子科技大学微电子研究所	312	1866	17.0	25.0
2	马晓华	西安电子科技大学微电子研究所	40	140	7.0	8.0
3	任红霞	西安电子科技大学微电子研究所	21	53	4.0	5.0