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摘要:
本文基于BSIM标准研究了现代深亚微米级MOSFET器件的建模和特征提取方法,着重在于短沟道效应方面,其中测试样品由MicronTM公司提供,最短沟道长度仅为0.16微米.内容包括一般短沟道效应、基板效应和漏极感应势垒降低效应(简称DIBL效应)等.研究表明,实验数据和BSIM模型结果较好吻合,证明文中方法的有效性以及较好的应用前景.
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文献信息
篇名 基于BSIM深亚微米级MOSFET短沟道效应建模和特征提取方法研究
来源期刊 电子学报 学科 工学
关键词 MOSFET器件 建模与特征提取 短沟道效应 BSIM模型
年,卷(期) 2004,(5) 所属期刊栏目 科研通信
研究方向 页码范围 841-844
页数 4页 分类号 TN722
字数 3705字 语种 中文
DOI 10.3321/j.issn:0372-2112.2004.05.032
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 赵阳 南京师范大学电气与电子工程学院 87 505 12.0 19.0
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研究主题发展历程
节点文献
MOSFET器件
建模与特征提取
短沟道效应
BSIM模型
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
电子学报
月刊
0372-2112
11-2087/TN
大16开
北京165信箱
2-891
1962
chi
出版文献量(篇)
11181
总下载数(次)
11
相关基金
教育部留学回国人员科研启动基金
英文译名:the Scientific Research Foundation for the Returned Overseas Chinese Scholars, State Education Ministry
官方网址:http://www.csc.edu.cn/gb/
项目类型:
学科类型:
江苏省自然科学基金
英文译名:Natural Science Foundation of Jiangsu Province
官方网址:http://www.jsnsf.gov.cn/News.aspx?a=37
项目类型:
学科类型:
论文1v1指导