基于BSIM深亚微米级MOSFET短沟道效应建模和特征提取方法研究

• 作者: Burke Franklyn Parke Stephen 赵阳
• 来源期刊: 电子学报
• 学科: 工学
• 关键词: MOSFET器件 建模与特征提取 短沟道效应 BSIM模型
• 年，卷（期）: 2004,（5）
• 所属期刊栏目: 科研通信
• 页码范围: 841-844
• 页数: 4页
• 分类号: TN722
• 字数: 3705字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0372-2112.2004.05.032

摘要

本文基于BSIM标准研究了现代深亚微米级MOSFET器件的建模和特征提取方法,着重在于短沟道效应方面,其中测试样品由MicronTM公司提供,最短沟道长度仅为0.16微米.内容包括一般短沟道效应、基板效应和漏极感应势垒降低效应(简称DIBL效应)等.研究表明,实验数据和BSIM模型结果较好吻合,证明文中方法的有效性以及较好的应用前景.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	赵阳	南京师范大学电气与电子工程学院	87	505	12.0	19.0