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基于BSIM深亚微米级MOSFET短沟道效应建模和特征提取方法研究
基于BSIM深亚微米级MOSFET短沟道效应建模和特征提取方法研究
作者:
Burke Franklyn
Parke Stephen
赵阳
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
MOSFET器件
建模与特征提取
短沟道效应
BSIM模型
摘要:
本文基于BSIM标准研究了现代深亚微米级MOSFET器件的建模和特征提取方法,着重在于短沟道效应方面,其中测试样品由MicronTM公司提供,最短沟道长度仅为0.16微米.内容包括一般短沟道效应、基板效应和漏极感应势垒降低效应(简称DIBL效应)等.研究表明,实验数据和BSIM模型结果较好吻合,证明文中方法的有效性以及较好的应用前景.
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文献信息
篇名
基于BSIM深亚微米级MOSFET短沟道效应建模和特征提取方法研究
来源期刊
电子学报
学科
工学
关键词
MOSFET器件
建模与特征提取
短沟道效应
BSIM模型
年,卷(期)
2004,(5)
所属期刊栏目
科研通信
研究方向
页码范围
841-844
页数
4页
分类号
TN722
字数
3705字
语种
中文
DOI
10.3321/j.issn:0372-2112.2004.05.032
五维指标
作者信息
序号
姓名
单位
发文数
被引次数
H指数
G指数
1
赵阳
南京师范大学电气与电子工程学院
87
505
12.0
19.0
传播情况
被引次数趋势
(/次)
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引文网络
引文网络
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研究主题发展历程
节点文献
MOSFET器件
建模与特征提取
短沟道效应
BSIM模型
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
电子学报
主办单位:
中国电子学会
出版周期:
月刊
ISSN:
0372-2112
CN:
11-2087/TN
开本:
大16开
出版地:
北京165信箱
邮发代号:
2-891
创刊时间:
1962
语种:
chi
出版文献量(篇)
11181
总下载数(次)
11
相关基金
教育部留学回国人员科研启动基金
英文译名:
the Scientific Research Foundation for the Returned Overseas Chinese Scholars, State Education Ministry
官方网址:
http://www.csc.edu.cn/gb/
项目类型:
学科类型:
江苏省自然科学基金
英文译名:
Natural Science Foundation of Jiangsu Province
官方网址:
http://www.jsnsf.gov.cn/News.aspx?a=37
项目类型:
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