40 nm工艺下反向窄沟道效应对 VLSI电路设计的影响

• 作者: 贺光辉 郑凯磊
• 来源期刊: 微电子学与计算机
• 关键词: 反向窄沟道效应 器件物理特性 标准单元库设计 版图设计
• 年，卷（期）: 2014,（4）
• 页码范围: 100-102,107
• 页数: 4页
• 分类号: TN47
• 语种: 中文

摘要

反向窄沟道效应（INWE）是纳米级工艺下较为明显的版图效应，它使MOS管阈值电压Vth随着 OD（扩散区）宽度的下降而下降，由此使得饱和电流 Idsat提高并最终影响器件的速度。重点阐述了产生 INWE的原因，同时将INWE考虑在标准单元库的设计当中。以TSMC N40LP 12T标准单元库为基础，根据INWE现象重新对电路结构（Circuit Structure）和版图（Layout）进行设计，最终能够在原有版图面积下整体性能提升5％以上，整体功耗升高控制在2％以内，从而得到有着更好PPA（Power Performance Area）指标的标准单元库器件。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	贺光辉	上海交通大学微电子学院	25	32	3.0	4.0
2	郑凯磊	上海交通大学微电子学院	1	0	0.0	0.0