超薄埋氧层厚度对FDSOI器件短沟道效应影响

• 作者: 徐烨峰 李昱东 谭思昊 闫江
• 来源期刊: 东北石油大学学报
• 学科: 工学
• 关键词: FDSOI 超薄埋氧层 仿真研究 短沟道效应 背栅偏压
• 年，卷（期）: 2017,（1）
• 所属期刊栏目: 计算机与自动化工程
• 页码范围: 117-122
• 页数: 6页
• 分类号: TN386.1
• 字数: 4671字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.2095-4107.2017.01.012

摘要

随着CMOS技术发展到22 nm技术节点以下,体硅平面器件达到等比例缩小的极限.全耗尽超薄绝缘体上硅CMOS (FDSOI)技术具有优秀的短沟道效应控制能力,利用TCAD软件,对不同埋氧层厚度的FDSOI器件短沟道效应进行数值仿真,研究减薄BOX厚度及器件背栅偏压对器件性能和短沟道效应的影响.仿真结果表明,减薄BOX厚度使FDSOI器件的性能和短沟道效应大幅提升,薄BOX衬底背栅偏压对FDSOI器件具有明显的阈值电压调制作用,6.00 V的背栅偏压变化产生0.73V的阈值电压调制.在适当的背栅偏压下,FDSOI器件的短沟道特性(包括DIBL性能等)得到优化.实验结果表明,25 nm厚BOX的FDSOI器件比145 nm厚BOX的FDSOI器件关断电流减小近50％,DIBL减小、近20％.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	闫江	中国科学院微电子研究所	7	7	2.0	2.0
3	谭思昊	中国科学院微电子研究所	2	3	1.0	1.0
5	李昱东	中国科学院微电子研究所	2	3	1.0	1.0
7	徐烨峰	中国科学院微电子研究所	2	3	1.0	1.0