亚50nm自对准双栅场效应晶体管的量子和短沟道效应的研究

• 作者: 全知觉 周旭昌 胡伟达 陆卫 陈效双
• 来源期刊: 红外与毫米波学报
• 学科: 工学
• 关键词: 自对准双栅场效应晶体管 量子力学计算 短沟道效应 量子效应
• 年，卷（期）: 2006,（2）
• 页码范围: 90-94
• 页数: 5页
• 分类号: TN302|TN386.1
• 字数: 3450字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1001-9014.2006.02.003

摘要

采用有限元法自洽求解泊松-薛定谔方程,数值模拟了一种新型的亚50nm N沟道双栅MOS场效应晶体管的电学特性,系统阐述了尺寸参数对短沟道效应的影响规律.比较了不同尺寸参数下的亚阈值摆幅、阈值电压下跌和DIBL效应以及沟道跨道,获得了最佳硅鳍宽度(Tfin)和栅极长度(Lg)参数.模拟结果与实验数据的经典数值模拟进行了比较,表明由于电子束缚效应对器件性能的影响,考虑量子效应对FinFET器件的性能优化尤其重要.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陆卫	中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室	95	442	12.0	16.0
2	陈效双	中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室	53	271	8.0	12.0
3	全知觉	中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室	10	65	5.0	7.0
4	胡伟达	中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室	17	102	6.0	9.0
5	周旭昌	中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室	3	20	2.0	3.0