基于量子模型的碳纳米管场效应晶体管电子输运特性

• 作者: 王小羊
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: 碳纳米管 场效应晶体管 量子输运模型 电子输运特性 沟道长度 NEGF
• 年，卷（期）: 2015,（7）
• 所属期刊栏目: 研究与试制
• 页码范围: 28-30
• 页数: 3页
• 分类号: TB383
• 字数: 2097字
• 语种: 中文
• DOI: 10.14106/j.cnki.1001-2028.2015.07.007

摘要

采用量子输运模型和NEGF理论，自洽求解薛定谔方程和泊松方程，对类MOS-碳纳米管场效应晶体管的电子输运特性建模。考察了沟道长度Lg为5~25 nm时，其对器件的导通电流、阈值电压、关态泄漏电流、电流开关比、亚阈值摆幅等性质的影响。结果表明：当Lg≥15 nm时，MOS-CNTFET没有量子尺寸效应；当Lg＜15 nm时，器件出现短沟道效应；Lg＜10 nm时短沟道效应更加明显。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王小羊		8	7	2.0	2.0