采用LOCOS隔离的部分耗尽SOI器件的窄沟道效应

• 作者: 宋文斌 许高博 郭天雷 韩郑生
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 工学
• 关键词: 部分耗SOI 鸟嘴效应 边缘电场效应 反向窄沟道效应 杂质重新分布
• 年，卷（期）: 2007,（5）
• 页码范围: 1535-1538
• 页数: 4页
• 分类号: TP386
• 字数: 2553字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2007.05.003

摘要

制备了不同沟宽的采用LOCOS隔离的PD SOI器件,通过实验数据分析器件的窄沟道效应.结果显示,1.2 μm SOI器件的窄沟道效应跟体硅相似,主要是由边缘电场效应和"鸟嘴"效应引起的;0.8 μm SOI器件的阈值电压随着沟道变窄而减小,出现反向窄沟道效应.我们认为,主要是由于杂质的重新分布降低了沟道边缘的杂质浓度所引起的.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	韩郑生	中国科学院微电子研究所	122	412	10.0	12.0
2	宋文斌	中国科学院微电子研究所	5	14	3.0	3.0
3	许高博	中国科学院微电子研究所	8	21	3.0	4.0
4	郭天雷	中国科学院微电子研究所	8	33	3.0	5.0