NBTI效应及其对集成电路设计的影响

• 作者: 周晓明 夏炎
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 工学
• 关键词: NBTI 尺寸缩小 p-MOSFET 集成电路设计
• 年，卷（期）: 2007,（2）
• 页码范围: 407-410
• 页数: 4页
• 分类号: TF331.1
• 字数: 3023字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2007.02.016

摘要

可靠性设计是现代集成电路设计需要考虑的一个重要问题.对影响电路可靠性的一个最主要效应--P-MOSFET的NBTI效应进行了系统的介绍.给出了不同电压、温度下器件性能随时问变化趋势的最新研究成果.最后介绍了SPICE考虑器件器件退化的电路模拟流程.在器件尺寸日益缩小的今天,这些将成为集成电路设计关注的焦点.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	夏炎		16	128	7.0	11.0
2	周晓明		4	2	1.0	1.0