超深亚微米PMOS器件的NBTI退化机理

• 作者: 刘红侠 李忠贺 郝跃
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 超深亚微米PMOS器件 负偏压温度不稳定性 界面陷阱 氢气
• 年，卷（期）: 2006,（2）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 820-824
• 页数: 5页
• 分类号: O4
• 字数: 1906字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2006.02.061

摘要

对超深亚微米PMOS器件的负栅压温度不稳定性(NBTI)退化机理进行了研究.主要集中在对器件施加NBT和随后的PBT应力后器件阈值电压的漂移上.实验证明反型沟道中空穴在栅氧中的俘获以及氢分子在栅氧中的扩散是引起NBTI退化的主要原因.当应力条件变为PBT时,陷落的空穴可以快速退陷,但只有部分氢分子可以扩散回栅氧与衬底界面钝化硅悬挂键,这就导致了PBT条件下阈值电压只能部分恢复.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郝跃	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	312	1866	17.0	25.0
2	刘红侠	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	91	434	10.0	15.0
3	李忠贺	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	1	18	1.0	1.0