深亚微米电路NMOS器件HCI退化建模与仿真

• 作者: 李康 王俊平 郝跃 陈海峰 马晓华
• 来源期刊: 西安电子科技大学学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: 深亚微米NMOSFET 热载流子注入退化 ΔId模型 电路可靠性
• 年，卷（期）: 2006,（5）
• 页码范围: 721-724,753
• 页数: 5页
• 分类号: TN386.6
• 字数: 3135字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2400.2006.05.012

摘要

提出一种深亚微米NMOSFET的热载流子注入下漏电流退化模型及其电路退化仿真方法.该模型将亚阈区、线性区和饱和区的漏电流退化行为统一到一个连续表达式中,避免了分别描述时由于模型不连续而导致的仿真不收敛问题.并且在模型中对亚阈区的栅偏依赖现象进行建模,提高了模型描述器件退化的准确度.用基于0.25 μm工艺的NMOS器件对模型进行了验证,测试数据与仿真结果吻合得很好.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郝跃	西安电子科技大学宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	312	1866	17.0	25.0
2	陈海峰	西安电子科技大学宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	8	32	4.0	5.0
3	马晓华	西安电子科技大学宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	40	140	7.0	8.0
4	李康	西安电子科技大学宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	21	146	7.0	11.0
5	王俊平	西安电子科技大学宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	31	284	10.0	16.0