超深亚微米PMOSFET的自愈合效应

• 作者: 刘红侠 李晶 郝跃
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 负偏置温度不稳定性效应 自愈合效应 应力时间 PMOSFET
• 年，卷（期）: 2006,（5）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 2508-2512
• 页数: 5页
• 分类号: O4
• 字数: 3660字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2006.05.066

摘要

主要研究负栅压偏置不稳定性(negative bias temperature instability,NBTI)效应中的自愈合效应,研究了器件阈值电压随着恢复时间和应力时间的恢复规律.研究表明器件的退化可以恢复是由于NBTI应力后界面态被氢钝化.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郝跃	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	312	1866	17.0	25.0
2	刘红侠	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	91	434	10.0	15.0
3	李晶	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	2	4	1.0	2.0