深亚微米槽栅NMOSFET结构参数对其抗热载流子特性的影响

• 作者: 任红霞 许冬岗 郝跃
• 来源期刊: 电子学报
• 学科: 工学
• 关键词: 槽栅NMOSFET 热载流子效应 凹槽拐角 负结深
• 年，卷（期）: 2001,（2）
• 页码范围: 160-163
• 页数: 4页
• 分类号: TN303.12
• 字数: 3683字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0372-2112.2001.02.005

摘要

基于流体动力学能量输运模型和幸运热载流子模型，用二维器件仿真软件Medici对深亚微米槽栅NMOSFET的结构参数，如沟道长度、槽栅凹槽拐角角度、漏源结深等，对器件抗热载流子特性的影响进行了模拟分析，并与常规平面器件的相应特性进行了比较.结果表明即使在深亚微米范围，槽栅器件也能很好地抑制热载流子效应，且其抗热载流子特性受凹槽拐角和沟道长度的影响较显著，同时对所得结果从内部物理机制上进行了分析解释.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郝跃	西安电子科技大学微电子研究所	312	1866	17.0	25.0
2	任红霞	西安电子科技大学微电子研究所	21	53	4.0	5.0
3	许冬岗	西安电子科技大学微电子研究所	4	6	2.0	2.0