静电放电应力下深亚微米栅接地NMOSFET源端热击穿机理

• 作者: 刘红侠 方建平 朱志炜 郝跃
• 来源期刊: 西安电子科技大学学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: 静电放电 热击穿 接触电阻
• 年，卷（期）: 2006,（6）
• 页码范围: 911-916
• 页数: 6页
• 分类号: TN386.1
• 字数: 4316字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2400.2006.06.016

摘要

基于静电放电应力下对深亚微米硅化物工艺栅接地NMOSFET的研究,考虑了源/漏寄生串连电阻的影响,建立了源/漏接触区的电流集中模型.由模型分析表明,不同的温度和掺杂条件下,源/漏寄生串连电阻会引起器件源/漏接触前端边缘附近产生不同程度的电流集中,在器件源端产生新的热点,影响了源/漏端的击穿特性,很好地解释了栅接地NMOSFET的源端热击穿机理.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郝跃	西安电子科技大学宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	312	1866	17.0	25.0
2	刘红侠	西安电子科技大学宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	91	434	10.0	15.0
3	方建平	西安电子科技大学宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	13	118	6.0	10.0
4	朱志炜	西安电子科技大学宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	19	96	5.0	8.0