TLP应力下深亚微米GGNMOSFET特性的仿真

• 作者: 朱志炜 郝跃
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 静电放电 传输线脉冲 氧化层电场
• 年，卷（期）: 2005,（10）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1968-1974
• 页数: 7页
• 分类号: TN386.1
• 字数: 4805字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2005.10.020

摘要

对TLP(传输线脉冲)应力下深亚微米GGNMOS器件的特性和失效机理进行了仿真研究.分析表明,在TLP应力下,栅串接电阻减小了保护结构漏端的峰值电压;栅漏交迭区电容的存在使得脉冲上升沿加强了栅漏交叠区的电场,栅氧化层电场随着TLP应力的上升沿减小而不断增大,这会导致栅氧化层的提前击穿.仿真显示,栅漏交迭区的电容和栅串接电阻对GGNMOS保护器件的开启特性和ESD耐压的影响是巨大的.该工作为以后的TLP测试和标准化提供了依据和参考.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郝跃	西安电子科技太学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	312	1866	17.0	25.0
2	朱志炜	西安电子科技太学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	19	96	5.0	8.0