CMOS工艺制备的高压PMOSFET温度特性研究

• 作者: 于宗光 周川淼 李红征
• 来源期刊: 电子与封装
• 学科: 工学
• 关键词: 偏置栅高压MOS 温度效应 温度系数 ZTC(零温度系数)点
• 年，卷（期）: 2007,（2）
• 所属期刊栏目: 微电子制造与可靠性
• 页码范围: 38-40
• 页数: 3页
• 分类号: TN403
• 字数: 1392字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1681-1070.2007.02.010

摘要

采用Cascade探针台与Agilent 4155B参数测试仪测试采用15 μm P阱单层多晶单层金属CMOS工艺制作的宽长比为50∶4的高压PMOSFET在不同温度下(27℃～200℃)的器件特性,包括漏电流IDS阈值电压VT、栅跨导gm的温度特性,并与常压PMOSFET温度特性比较,推导阈值电压值与温度的简单关系.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	于宗光		89	354	9.0	14.0
5	李红征	江南大学信息工程学院	7	13	3.0	3.0
7	周川淼		2	2	1.0	1.0