应变Si纳米NMOSFET单粒子效应

• 作者: 廖晨光 郝敏如
• 来源期刊: 电子科技
• 学科: 工学
• 关键词: 单粒子瞬态 漏极偏置 栅长 注入位置
• 年，卷（期）: 2018,（8）
• 页码范围: 38-41
• 页数: 4页
• 分类号: TN406
• 字数: 2117字
• 语种: 中文
• DOI: 10.16180/j.cnki.issn1007-7820.2018.08.010

摘要

针对辐照条件下应变集成器件及电路的应用越来越多的问题,文中为了分析研究辐照特性对应变集成器件的影响,主要通过计算机模拟仿真(TCAD)的方法验证了漏斗模型的正确性,分别对单轴应变Si纳米NMOSFET器件在不同漏极偏置电压,不同沟道长度以及不同注入位置的单粒子效应进行了分析.通过TCAD模拟仿真了单粒子瞬态电流随着注入位置的电场变化.结果表明:单粒子瞬态电流随着漏极偏置电压的增大而增大,随着沟道长度的减小而增大;不同注入位置下的单粒子效应,此处的漏极瞬态电流大小与对应位置的电场强度成正比关系.该仿真结果为研究纳米级单轴应变Si NMOSFET应变集成器件可靠性及电路的应用提供了参考.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郝敏如	西安电子科技大学微电子学院	8	33	2.0	5.0
2	廖晨光	西安电子科技大学微电子学院	5	8	2.0	2.0