单轴应变硅nMOSFET栅隧穿电流模型

• 作者: 吴华英 宋建军 张鹤鸣 胡辉勇
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 工学
• 关键词: 单轴应变 nMOSFET 栅隧穿电流 模型
• 年，卷（期）: 2011,（9）
• 页码范围: 596-601
• 分类号: TN386.1
• 语种: 中文

摘要

本文基于量子机制建立了单轴应变硅nMOSFET栅隧穿电流模型,分析了隧穿电流与器件结构参数、偏置电压及应力的关系.仿真分析结果与单轴应变硅nMOSFET的实验结果符合较好,表明该模型可行.同时与具有相同条件的双轴应变硅nMOSFET的实验结果相比,隧穿电流更小,从而表明单轴应变硅器件更具有优势.该模型物理机理明确,不仅适用于单轴应变硅nMOSFET,只要将相关的参数置换,该模型也同样适用于单轴应变硅pMOSFETs.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	胡辉勇	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件重点实验室	64	367	10.0	15.0
2	张鹤鸣	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件重点实验室	102	510	12.0	16.0
3	宋建军	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件重点实验室	36	204	9.0	12.0
4	吴华英	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件重点实验室	1	2	1.0	1.0