考虑量子力学效应的超薄栅氧nMOSFET's直接隧穿电流二维模型

• 作者: 田立林 陈立锋 马玉涛
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: MOSFET's 量子效应 栅隧穿电流 器件模型
• 年，卷（期）: 2002,（4）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 419-423
• 页数: 5页
• 分类号: TN386
• 字数: 3886字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2002.04.017

摘要

研究了超薄栅氧MOS器件的直接隧穿(direct tunneling,DT)电流模型问题.利用修正的WKB近似方法(modified WKB,MWKB)得到电子隧穿栅氧的几率,利用修正的艾利函数(modified Airy function,MAF)方法计算得到在高电场条件下载流子的量子化能级,从而计算出在不同偏置条件下的DT电流.模型实现了nMOSFET's栅隧穿电流的二维模拟,可以模拟在不同栅漏偏置条件下的器件工作情况,具有较广泛的适用性.通过对比表明,本模型能够与实验结果很好地吻合,且速度明显优于数值方法.利用模型可很好地对深亚微米MOS器件的栅电流特性进行预测.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	田立林	清华大学微电子所	31	116	6.0	8.0
2	马玉涛	清华大学微电子所	4	13	3.0	3.0
3	陈立锋	清华大学微电子所	1	6	1.0	1.0