考虑量子效应的超薄体双栅肖特基源漏MOSFET电流解析模型

• 作者: 刘红侠 匡潜玮 栾苏珍 王瑾 蔡乃琼 贾仁需
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 肖特基势皂 量子效应 有效质量 电子密度
• 年，卷（期）: 2008,（5）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 869-874
• 页数: 6页
• 分类号: TN386
• 字数: 1518字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2008.05.012

摘要

推导了超薄体双栅肖特基势垒MOSFET器件的漏电流模型,模型中考虑了势垒高度变化和载流子束缚效应.利用三角势垒近似求解薛定谔方程,得到的载流子密度和空间电荷密度一起用来得到量子束缚效应.由于量子束缚效应的存在,第一个子带高于导带底,这等效于禁带变宽.因此源漏端的势垒高度提高,载流子密度降低,漏电流降低.以前的模型仅考虑由于镜像力导致的肖特基势垒降低,因而不能准确表示漏电流.包含量子束缚效应的漏电流模型克服了这些缺陷.结果表明,较小的非负肖特基势垒,甚至零势垒高度,也存在隧穿电流.二维器件模拟器Silvaco得到的结果和模型结果吻合得很好.