环栅肖特基势垒MOSFET解析电流模型

• 作者: 张鹤鸣 杨晋勇 许立军
• 来源期刊: 四川大学学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: 金属氧化物半导体场效应晶体管 解析电流模型 拟合 肖特基势垒 环栅
• 年，卷（期）: 2017,（3）
• 所属期刊栏目: 物理学
• 页码范围: 553-556
• 页数: 4页
• 分类号: TN432.1
• 字数: 2590字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.0490-6756.2017.03.021

摘要

肖特基势垒金属氧化物半导体场效应晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,MOSFET)的电流一般需要通过载流子的费米狄拉克分布对能量积分来计算或自洽迭代数值计算,为降低其复杂性,本文采用若干拟合参数,考虑镜像力势垒降低效应、偶极子势垒降低效应和小尺寸下量子化效应对肖特基势垒高度的影响,给出了环栅肖特基势垒MOSFET一种新的解析电流模型.所提出的电流模型与文献报道实验数据符合较好,验证了模型的正确性,对环栅肖特基势垒MOSFET器件以及电路设计提供了一定的参考价值.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张鹤鸣	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件重点实验室	102	510	12.0	16.0
2	杨晋勇		10	23	3.0	3.0
3	许立军	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件重点实验室	3	10	1.0	3.0