6H-SiC肖特基源漏n沟MOSFET的数值-解析模型

• 作者: 张义门 张玉明 汤晓燕 郜锦侠 陈锐标
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 碳化硅 肖特基势垒 MOSFET
• 年，卷（期）: 2004,（9）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1159-1163
• 页数: 5页
• 分类号: TN386
• 字数: 2807字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2004.09.022

摘要

分析了6H-SiC肖特基源漏MOSFET的电流输运机制,并建立了数值-解析模型.模型正确地计入了隧道电流和势垒降低的影响,能准确反映器件的特性.模拟结果显示,源极肖特基的势垒高度是影响器件特性的主要因素,随着温度升高,器件的特性将变得更好.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张义门	西安电子科技大学微电子研究所	129	835	15.0	21.0
2	张玉明	西安电子科技大学微电子研究所	126	777	15.0	20.0
3	汤晓燕	西安电子科技大学微电子研究所	24	144	7.0	11.0
4	陈锐标	西安电子科技大学微电子研究所	2	13	1.0	2.0
5	郜锦侠	西安电子科技大学微电子研究所	8	42	3.0	6.0