6H-SiC异质结源漏MOSFET的模拟仿真研究

• 作者: 张义门 张林 张玉明 汤晓燕
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 工学
• 关键词: 碳化硅 异质结接触 MOSFET 多晶硅
• 年，卷（期）: 2006,（4）
• 页码范围: 1019-1022
• 页数: 4页
• 分类号: TN386.3
• 字数: 2477字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2006.04.009

摘要

给出了一种新型SiC MOSFET--6H-SiC异质结源漏MOSFET.这种器件结构制备工艺简单,避免了长期困扰常规SiC MOSFET的离子注入工艺难度大、退火温度高等问题,而且具有性能优良,开态电流大,侧墙工艺简单的特点.文中分析了该器件的电流输运机制,并通过器件仿真软件ISE TCAD模拟,给出了SiC异质结源漏MOSFET伏安特性以及其和相关器件结构和工艺参数的关系.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张义门	西安电子科技大学微电子研究所教育部宽禁带半导体材料重点实验室	129	835	15.0	21.0
2	张玉明	西安电子科技大学微电子研究所教育部宽禁带半导体材料重点实验室	126	777	15.0	20.0
3	汤晓燕	西安电子科技大学微电子研究所教育部宽禁带半导体材料重点实验室	24	144	7.0	11.0
4	张林	西安电子科技大学微电子研究所教育部宽禁带半导体材料重点实验室	9	61	3.0	7.0