6H-SiC材料的氧化特性

• 作者: 任昌河 李跃进 杨银堂 柴常春
• 来源期刊: 西安电子科技大学学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: 6H-SiC 氧化特性 温度响应 二氧化硅
• 年，卷（期）: 2000,（4）
• 所属期刊栏目: 学术论文和技术报告
• 页码范围: 460-462,466
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.0
• 字数: 1794字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2400.2000.04.015

摘要

研究了1 000～1 200℃温度下干氧和湿氧中6H-SiC材料的氧化特性,讨论了氧化层厚度与温度、时间、气氛的关系.实验结果表明,在相同的生长条件下,6H-SiC材料的氧化层厚度远小于Si的氧化层厚度,且遵循相同的生长规律.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨银堂	西安电子科技大学微电子研究所	420	2932	23.0	32.0
2	李跃进	西安电子科技大学微电子研究所	70	432	11.0	17.0
3	柴常春	西安电子科技大学微电子研究所	80	592	15.0	19.0
4	任昌河	西安电子科技大学微电子研究所	1	0	0.0	0.0