半绝缘6H-SiC单晶的生长

• 作者: 姜守振 宁丽娜 徐现刚 李娟 王英民 胡小波 陈秀芳
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 半绝缘 碳化硅 升华法
• 年，卷（期）: 2007,（z1）
• 页码范围: 221-224
• 页数: 4页
• 分类号: O782
• 字数: 1699字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2007.z1.055

摘要

用升华法生长出了电阻率高达1010Ω·cm的半绝缘6H-SiC体块晶体.用二次离子质谱(secondary ion mass spectrometry,SIMS)、辉光放电质谱(glow discharge mass spectroscopy,GDMS)测量了晶体和原料中的杂质浓度,包括硼、铝、钒.结果表明,钒的浓度会影响生长晶体的质量.分别用Pt和In做电极测试样品电阻率特性,发现不同的电极对测试结果有较大影响.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李娟	山东大学晶体材料国家重点实验室	127	921	17.0	26.0
2	胡小波	山东大学晶体材料国家重点实验室	67	321	9.0	14.0
3	徐现刚	山东大学晶体材料国家重点实验室	77	407	10.0	16.0
4	宁丽娜	山东大学晶体材料国家重点实验室	4	16	3.0	4.0
5	陈秀芳	山东大学晶体材料国家重点实验室	17	102	5.0	9.0
6	王英民	山东大学晶体材料国家重点实验室	3	12	3.0	3.0
7	姜守振	山东大学晶体材料国家重点实验室	1	3	1.0	1.0