6H-SiC单晶表面ZnO薄膜的制备及其结构表征

• 作者: 孙柏 张国斌 徐彭寿 徐现刚 李锐鹏 潘国强 赵朝阳 陈秀芳
• 来源期刊: 无机材料学报
• 学科: 工学
• 关键词: 脉冲激光淀积 氧化锌 碳化硅 掠入射X射线衍射
• 年，卷（期）: 2008,（4）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 753-757
• 页数: 5页
• 分类号: TN304
• 字数: 3896字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-324X.2008.04.024

摘要

利用脉冲激光淀积(PLD)技术在6H-SiC单晶衬底上制备了ZnO薄膜.利用X射线衍射(XRD),反射式高能电子衍射(RHEED)和同步辐射掠入射X射线衍射(SRGID)φ扫描等实验技术研究了ZnO薄膜的结构.结果表明:在单晶6H-SiC衬底上制备的ZnO薄膜已经达到单晶水平,不同入射角的SRGID结果,显示了ZnO薄膜内部不同深度处α方向的晶格弛豫是不一致的,从接近衬底界面处到薄膜的中间部分再到薄膜的表面处,α方向的晶格常数分别为0.3264、0.3272和0.3223nm.通过计算得到ZnO薄膜的泊松比为0.504,ZnO薄膜与单晶6H-SiC衬底在平行丁衬底表面α轴方向的实际晶格失配度为5.84%.